Électronique numérique - ellipses - 9782729823238 -
Électronique numérique 

Électronique numérique
Électronique 2 - Fonctionnement et modélisation des composants, fabrication des circuits.

L'ouvrage : niveau B (Licence)Les circuits intégrés de l'électronique numérique, omniprésents dans notre environnement, sont construits à partir d'un nombre restreint de composants élémentaires.Ce volume décrit d'abord la scène commune à tous ces composants [...]
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Auteur : 

Editeur : Ellipses

Collection : Technosup

Date parution :

Reliure :
Broché
Nbr de pages :
316
ISBN 10 :
2729823239
ISBN 13 :
9782729823238
33,50 €
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Quel est le sujet du livre "Électronique numérique"

L'ouvrage : niveau B (Licence)

Les circuits intégrés de l'électronique numérique, omniprésents dans notre environnement, sont construits à partir d'un nombre restreint de composants élémentaires.

Ce volume décrit d'abord la scène commune à tous ces composants (schéma de bandes électroniques) et les acteurs (électrons de valence) qui s'y manifestent sous la forme d'excitations (électrons, trous).
Puis il étudie le fonctionnement et la modélisation des composants en faisant certains choix propres à rendre compte de la réalité industrielle actuelle : études parallèles de la jonction  et du contact métal/semiconducteur, traitement du transistor MOS avant le bipolaire, place appréciable donnée à l'injection forte, sans négliger les hétérojonctions.

Enfin sont présentées les méthodes de fabrication, les évolutions et les perspectives.
L'ouvrage très précis et très documenté se caractérise par un contact étroit avec la réalité actuelle.
Il s'inscrit dans un traité complet d'électronique avec deux autres ouvrages des mêmes auteurs parus dans la même collection et traitant

  •     en amont, de la physique pour l'électronique (état quantique, onde électronique, statistique de Fermi)
  •     et en aval, des circuits spécialisés et des applications.

Auteurs :

Alain Deville, agrégé de physique, est professeur émérite de l'Université de Provence où il a participé à la création et au développement de la filière électronique. Danielle Deville, agrégée de physique appliquée a été professeur en classes préparatoires au lycée Jean Perrin à Marseille après avoir enseigné en BTS d'électrotechnique.

Sommaire et contenu du livre "Électronique numérique - Électronique 2 - Fonctionnement et modélisation des composants, fabrication des circuits."

Table des matières Présentation des cbapitres 1 et 2 Cb.l Solides cristaUins: énergies électroniques et vibrations 8 1 Idées générales 8 2 Etats électroniques de quelques systèmes microscopiques 12 3 Solides: classification d'après les liaisons entre atomes 20 4 Bandes d'énergie dans les solides 22 5 Données sur les énergies électroniques dans Si, Ge, GaAs 34 6 Dopage d'un semi-conducteur. Niveaux d'impuretés. Cas du dopage fort 36 7 Phonons 40 Cb.2 Electrons et trous dans un semi-conducteur 47 1 Densité d'états pour la BV et la BC 47 2 Porteurs: électrons, trous 49 3 Porteurs à l'équilibre thennique en matériau homogène 50 4 Electron: vitesse, accélération par un champ électrique. Masses effectives 57 5 Causes d'écart à l'équilibre. Phénomènes de relaxation 65 6 Porteurs en présence d'un gradient de potentiel et/ou de concentration 71 Préliminaires aux cbapitres 3 à 6 87 Cb.3 Contact métal/semi-conducteur, jonction p-n 88 1 Examen qualitatif de l'effet d'une tension continue 88 2 Le modèle de la zone désertée 93 3 Capacité de transition 102 4 Courants dans lajonction p-n 105 5 Courant dans la diode Schottky 125 6 Jonction p-n en commutation 137 7 Hétérojonction à semi-conducteurs 143 Cb.4 Capacité MûS et transistor MûS 149 1 Capacité MûS idéale 151 2 Capacité MûS réelle 169 3 Transistor MûS: préliminaires 174 4 MûSFET à l'approximation de la ZD à profil uniforme 180 5 MûSFET et modèle de la ZD à profil non uniforme 189 6 Principe de fonctionnement du JFET 189 Cb.5 Transistor bipolaire 192 1 Phénomènes généraux 194 2 Aspects dynamiques en amplification linéaire 206 3 Charges stockées dans la région neutre de base. Modèle d'Ebers-Moll 2ll 4 Le transistor bipolaire en commutation 219 5 Inversion forte. Modèle de Gununel-Poon 225 6 Transistor bipolaire à hétérojonction; quasi-champ électrique 233 Cb.6 Circuits Intégrés 237 1 Les opérations physico-chimiques du procédé planar 240 2 Fabrication d'un transistor nMOS et d'un transistor bipolaire intégré 249 3 Modélisation d'une jonction p-n. Jonction p-n graduelle 255 4 L'inverseur logique CMOS 261 5 L'évolution vers l'électronique fortement submicronique 273 Al Etat liant, état antiliant; covalence 290 Etats liant et antiliant dans l'ion Hi 290 2 La molécule H2 291 3 Liaisons covalentes dans CH4 292 Al Semi-conducteurs: aspects statistiques 295 1 Statistique des impuretés dopantes 295 2 Semi-conducteur dopé: niveau de Fermi et température 297 3 Précisions sur une intégrale 299 A3 Evolution de paquets d'ondes 300 1 Vitesse d'un électron; évolution du paquet d'ondes 300 2 Evolution et dérivée temporelle d'un opérateur 305 Références. 307 Index. 311

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