Technologie microélectronique - ellipses - 9782729838669 -
Technologie microélectronique 

Technologie microélectronique
Du silicium aux circuits intégrés

L'ouvrage : niveau C (Master, Écoles d'ingénieurs)Cours de base à Supélec, l'ouvrage traite de la technologie des composants à semiconducteur pour expliquer les étapes et les principes de fabrication de ces briques des microsystèmes électroniques.Il comporte [...]
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Auteur : 

Editeur : Ellipses

Collection : Technosup

Date parution :

Reliure :
Broché
Nbr de pages :
150
ISBN 10 :
272983866x
ISBN 13 :
9782729838669
29,00 €
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Quel est le sujet du livre "Technologie microélectronique"

L'ouvrage : niveau C (Master, Écoles d'ingénieurs)

Cours de base à Supélec, l'ouvrage traite de la technologie des composants à semiconducteur pour expliquer les étapes et les principes de fabrication de ces briques des microsystèmes électroniques.

Il comporte :

  •     une présentation des différentes étapes technologiques de fabrication en insistant sur les points spécifiques et les modélisations utilisées,
  •     une description des séquences d'étapes pour la fabrication des principaux composants élémentaires (diodes, différents transistors...),
  •     un aperçu sur l'évolution des plus récentes technologies (incluant l'électronique grande surface) ainsi que des perspectives pour les années 2010-2020.

L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir éventuellement leur formalisme et en faisant régulièrement référence aux applications (composants, circuits, dispositifs, systèmes).

Auteurs :

Olivier Bonnaud, Professeur des Universités, exerce à Supélec et à l'Université de Rennes 1, où il dirige une équipe de recherche à l'Institut d'électronique et télécommunications de Rennes. Il est également directeur du Centre commun de microélectronique de l'ouest pour la formation en microélectronique.

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Sommaire et contenu du livre "Technologie microélectronique - Du silicium aux circuits intégrés"

TABLE DES MATIÈRES CHAP. 1-INTRODUCTION À LA TECHNOLOGIE 1. Situation de la discipline: technologie microélectronique 1 2 Procédés technologiques: étapes et filières 1 CHAP. Il -OBTENTION DU SILICIUM DE QUALITE MICROÉLEC­ TRONIQUE 1. Sources de silicium 5 2. Pureté chimique requise 5 3. Réduction de la silice 5 4. Purification du silicium 6 CHAP. III -FABRICATION DES PLAQUETIES DE SILICIUM 1. Charge de polysilicium le plus pur possible 9 2. Tirage et croissance du cristal 9 3. Traitements et contrôles des lingots 15 4. Réalisation et contrôles des plaquettes 16 CHAP. IV -ÉTAPE TECHNOLOGIQUE: L'EPITAXIE 1. Définition 21 2. Mécanisme physique de base 22 3. Les méthodes expérimentales 22 4. Procédés d'épitaxie en phase vapeur du silicium 25 5. Epitaxie sélective 28 CHAP. V -ÉTAPE TECHNOLOGIQUE: LA DIFFUSION 1. Principe et mécanisme de diffusion 29 2. Equations de diffusion 30 3. Procédés de diffusion 31 4. Modélisation simplifiée de la diffusion 33 5. Effet du champ électrique 35 6. Effets de la température 39 CHAP. VI-ÉTAPE TECHNOLOGIQUE: L'IMPLANTATION IONIQUE 1. Définition 41 2. Propriétés principales de cette technique 41 3. L'implanteur ionique 41 4. La dose implantée 42 5. Profils de concentration 43 CHAP. VII-ÉTAPE TECHNOLOGIQUE: L'OXYDATION 1. Importance de l'oxydation du silicium 47 2. Principe de l'oxydation 47 3. Modélisation de l'oxydation 49 4. Redistribution de dopants en cours d'oxydation 56 5. Technique d'oxydation rapide: RTO 56 6. L'oxydation anodique 57 7. L'oxydation plasma 58 CHAP. VIII-ÉTAPE TECHNOLOGIQUE: LES DÉPOTS 1. Nécessité des dépôts 59 2. Evaporation thermique 59 3. Dépôts par canon à électrons 60 4. Dépôts par pulvérisation cathodique 61 5. Dépôts chimiques en phase vapeur (CVD) 62 CHAP. IX -ÉTAPE TECHNOLOGIQUE: LA GRAVURE 1. La gravure humide 67 2. La gravure sèche 69 3. Comparaison des propriétés des gravures humide et plasma 73 4. Gravure plasma profonde 74 CHAP. X -ÉTAPE TECHNOLOGIQUE: LA PHOTOLITHOGRAVURE 1. Définition 77 2. Principe de la photolithographie 77 3. Réalisation d'un motif sur plaquette 78 4. L'insolation et la réalisation des masques 81 5. La photolithographie par lift-off 86 CHAP. XI -PROCÉDÉS DE FABRICATION: DIODES ET TRANSIS­ TORS BIPOLAIRES 1. Nécessité de propreté 87 2. Réalisation d'une diode 88 3. Procédé de fabrication d'un transistor bipolaire 90 CHAP. XII-PROCÉDÉS DE FABRICATION: TRANSISTORS MOS 1. Propriétés des transistors MOS 95 2. Procédé de fabrication d'un transistor MOS 97 3. Vers l'auto-alignement en technologie MOS 100 4. Procédé de fabrication en technologie CMOS 100 5. Transistors MOS de puissance 106 6. Notion de rendement de fabrication 108 CHAP. XIII -AMÉLIORATION DES PROCÉDÉS TECHNOLOGIQUES 1. Planarisation des couches 111 2. Croissance épitaxiale sélective 114 CHAP. XIV -HISTORIQUE ET ÉVOLUTION DES TECHNOLOGIES 1. Historique et évolution des substrats et circuits 2. Evolution des salles blanches et procédés 3. Contraintes industrielles CHAP. XV -MICROÉLECTRONIQUE GRANDE SURFACE 1. Besoin de grandes surfaces 2. Les premières technologies sur substrat de verre 3. Les technologies des transistors films minces 4. Exemples d'application de cette technologie 5. Evolution des dimensions des substrats de verre Complément de cours interactif INDEX BIBLIOGRAPHIE 117 126 129 133 133 136 141 145 146 147 149

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